ارزیابی تغییرات سطوح ایمپلنت های دندانی بعد از تابش با انرژی های مختلف لیزر دیود – مطالعه ی میکروسکوپ الکترونی
چکیده
مقدمه و هدف: به واسطه ی تغییرات التهابی پیشرفته در بافتهای احاطه کننده ی ایمپلنت واکنشهایی صورت میگیرد که گاهی سبب بروز peri-implantitis میشود.روشهای متفاوتی برای دبریدمان سطوح ایمپلنتی پیشنهاد شده اند که از جمله ی این روش ها استفاده از لیزر است.هدف ما در این مطالعه بررسی تاثیرات استفاده از لیزر diode در انرژی های متفاوت و تغییرات حاصل از ان روی سطوح ایمپلنتی است. روش کار و مواد: 22 عدد ایمپلنت دندانی (Korea , Dentis)RBM که از تیتانیوم خالص بوده وطول 10mm و قطر 4.3 mm دارند در یک قالب آلژیناتی قرار داده شد و سه تا از thread های ایمپلنت بالای آلژینات قرار گرفتند.ایمپلنت ها در5 گروه 4 تایی تقسیم شدند. 2 ایمپلنت را به عنوان گروه کنترل که روی آنها تابشی انجام نگرفت بود در نظر گرفتیم. در هر گروه تست ایمپلنت ها تحت انرژی های 1/5,2/5,3/5,4/5,5/5 وات لیزر دیود به مدت 10 ثانیه و 5 ثانیه تحت تابش قرار گرفتند. تابش لیزر با استفاده از لیزر (810 nm )GaALAS و با فیبر نوری به قطر 600 میکرون و در مود تماسی (contact mode) انجام شد.بعد از تابش لیزر ، نمونه ها برای ارزیابی آنالیز SEM آماده شدند به اینصورت که هر نمونه ، در 2% fixture پارافرمالدهید که به صورت تدریجی توسط اتانول دهیدراته شده و سپس تحت انالیز SEM(cam scan/mv2300/جمهوری چک) تغییرات سطحی از جمله ذوب شدن استناد به مطالعه¬یPark و همکاران بررسی شدند.فوتوگراف هایی با بزرگنمایی های ×80,300,500,1500,3000 و یک نمای fish (کلی) از هر ایمپلنت بدست امد که در نهایت با سطوح گروه کنترل مورد مقایسه قرار گرفت.یافته ها: در تابش سطوح ایمپلنتی با توان لیزری 1.5w (5s,10s) 3.5w(5s,10s),2.5w(5s,10s) تغییرات مورفولوژیکی و سطحی و هیچگونه ذوب شدگی با اسکن میکروسکوپی الکترونی نمایان نشد و سطوح مشابه به سطوح گروه کنترل بودند. اما سطوح تحت تابش لیزر دیود با توان 4.5w(5s,10s) و 5.5w(5s,10s) تغییرات قابل مشاهده بودند به خصوص در انرژی 5.5w(10s) ذوب شدگی سطوح به صورت بسیار واضح قابل مشاهده بود.نتیجه گیری: ازانجاییکه هدف درمانهای peri-implantitis الودگی زدایی باکتریایی از سطوح ایمپلنتی بدون ایجاد تغییرات روی سطح تیتانیوم میباشد ،چراکه هرگونه تغییرات ممکن است استئواینتگریشن را مختل کرده و در نتیجه سبب شکست ایمپلنت شود.لذا استفاده از لیزر دیود به این منظور در انرژی های بالاتر از 3.5w توصیه نمیشود.