بررسی اثر هایپوکسی بر تکثیر سلولی، بیان miR-9, miR-370, miR-27a و ژن های هدف آنها در رده های سلولی MOLT-4 و KG1

Abstract

امروزه نقش هیپوکسی در رشد سلول های توموری اهمیت قابل ملاحظه ای یافته است. هایپوکسی به عنوان ویژگی اکثر تومور ها با مقاومت دارویی همراه می باشد. فاکتور یک تحریک شده به وسیله هیپوکسی یکی از تنظیم کننده های اصلی پاسخ سلولی به هیپوکسی می باشد که بر بیان ژن های مختلف سلولی نظیر ژن های دخیل در آپوپتوز، تکثیر سلولی و مقاومت های دارویی تاثیر می گذارد. از آنجاییکه وضعیت هایپوکسیک ریز محیط مغز استخوان در بیولوژی سلول¬های لوسمیک و بیان ژن های مختلف در in-vivo و in-vitro تاثیر می¬گذارد، ما تصمیم گرفتیم که اثر هیپوکسی را بر بیان ژن های دخیل در مقاومت های دارویی،آپوپتوز و تکثیر سلولی را بررسی کنیم.مواد و روش ها : در این مطالعه که به صورت توصیفی انجام شد ابتدا دوز IC50 برای Cocl2 در رده های سلولی MOLT-4 و KG1 تعیین شد.سلول های MOLT-4 و KG1 در محیط کشت RPMI کشت داده شدند و سپس تیمار این سلول ها با COCl2 طی زمان های12 و 24 ساعت انجام شد. شمارش سلول¬ها از طریق رنگ آمیزی با تریپان بلو و بوسیله لام نئوبار انجام گرفت. جهت بررسی وضعیت بیان ژن های دخیل در تکثیر سلولی و مقاومت دارویی از Real Time PCR استفاده شد.جهت بررسی اثر هایپوکسی بر تکثیر سلولی نیز از روش MTTاستفاده شد. یافته ها : بر اساس نتایج به دست آمده از این مطالعه هایپوکسی القا شده به وسیله کلرید کبالت قادر به تنظیم حساسیت سلول های MOLT-4 و KG1 به عوامل شیمی درمانی با افزایش بیان ژن های MDR1, MRP1, FOXM1, BCL-xl و کاهش بیان پروتیین پروآپوتوز PUMA در مقایسه با گروه کنترل می باشد. هم چنین نتایج نشان داد که شرایط هایپوکسی بیان miR-9 را افزایش و بیان miR-27a و miR-370 را کاهش می دهد بنابراین هایپوکسی هز طریق تنظیم بیان miRNA ها نیز میتواند بر حساسیت سلول های سرطانی به عوامل شیمی درمانی تاثیر بگذارد.در ارتباط با تاثیر هایپوکسی بر تکثیر سلولی نتابج ما نشان داد که هایپوکسی القا شده به وسیله کلرید کبالت باعث مهار تکثیر سلولی می شود.